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트랜지스터는 1948년 벨연구소에서 탄생되 엇습니다,발명자 W.쇼클리,J.버딘,W.브랫틴의 3명의 물리 학자가 1956년 노벨 물리학상을 공동으로 수상 합니다. 쇼클리 는 트랜지스터를 완성
후 벨연구소를 떠나 1955년 미국 캘리포니아 주 팰로앨토(Palo alto)에 쇼클리 반도체연구소를 설립후, 트랜지스터는 대량 생산되어 다양하게 활용되면서.전자산업 의 혁명이시작됩니다
쇼클리 연구소가 샌프란시스코에 자리하면서 미국의<실리콘밸리>형성이 시작되었습니다. 트랜지스터 초기에는 게르마늄이란 물질(반도체)로 만들어졌으며, 게르마늄은 약 80°C 정도에서 파괴된다는 단점이 있어, 지금은 대부분이 실리콘으로 만들어집니다. 실리콘은 약 180°C 의 열에도 견딜 수 있는 물질로 열에 강합니다."소형화"고전압"대용량"생산 이가능해 졌습니다 NPN형.jpg